Samsung eletrônica projeta que a demanda por memória superará a oferta global em 2026, impulsionada pelo crescimento da infraestrutura de servidores de IA, e antecipou a retomada da produção em massa de HBM4E para o próximo ano, segundo relato do Chosun Ilbo.
Pelo menos cinco fontes sul-coreanas noticiaram que, durante o call de resultados do terceiro trimestre de 2026, a Samsung informou que os principais hiperescalares estão ampliando investimentos em data centers e expandindo o ecossistema de IA, sustentando uma demanda contínua por memória de alta performance.
Projeção de superacommodade na memória
A Samsung não divulgou números específicos sobre o déficit esperado, mas afirmou que a expansão de infraestrutura de IA supera a capacidade produtiva atual. O aumento de preços em mercados de mobile e PC pode gerar ajustes de demanda, mas não compromete a necessidade de chips mais avançados.
HBM4E ganha prioridade na linha de produção
O foco estratégico da Samsung está no HBM4E, a próxima geração de memória de alta largura de banda, cujo início de produção em massa foi antecipado para 2026, segundo o jornal sul-coreano. A empresa não especificou volumes ou datas exatas para o início da produção comercial.
Hiperscalares impulsionam a corrida por capacidade
Segundo o Chosun Ilbo, a Samsung destacou que os principais hiperescalares estão acelerando novas construções de data centers, enquanto o crescimento do ecossistema de IA exige mais capacidade de processamento e armazenamento em memória. Essa dinâmica favorece fabricantes como a Samsung, que dominam o mercado de HBM junto com a rival coreana SK Hynix.
O que ainda não foi divulgado
- A Samsung não revelou a previsão de déficit em termos numéricos ou percentuais.
- Não há detalhes sobre os volumes de HBM4E que serão produzidos em 2026.
- Não foram especificadas quais hiperescalares estão por trás da expansão de data centers.
- Não há comentários sobre a concorrência direta com a SK Hynix ou outras fabricantes de memória.
- Não foram divulgadas previsões sobre preços futuros da memória DRAM ou NAND.
