A Samsung Electronics assinou com a ASML um acordo para criar tecnologias de fabricação de semicondutores de próxima geração, abrangendo fotomáscaras de 12 polegadas e litografia EUV de alta abertura numérica (High NA). A parceria prevê colocar o High NA EUV em produção em larga escala de DRAM até 2028, sendo a primeira empresa do setor a fazer isso, segundo a Yonhap News.
Fotomáscara de 12 polegadas substitui o padrão de seis
O consórcio liderado pela ASML, com participação da Samsung, vai desenvolver a fotomáscara de 12 polegadas para substituir o formato de seis polegadas usado há décadas. A Samsung diz que a nova tecnologia deve elevar a produtividade das fábricas e reduzir os custos de fabricação de chips, sobretudo diante da demanda crescente por circuitos destinados à inteligência artificial.
High NA EUV entra na produção de DRAM em 2028
A Samsung pretende ser a primeira da indústria a usar a litografia High NA EUV da ASML na fabricação em alto volume de DRAM. A tecnologia promete estender o roteiro de escalabilidade da memória, trazendo melhor resolução, simplificação de etapas e maior eficiência. O CEO da Samsung, Jun Young-hyun, afirmou que a era da IA está remodelando o setor e que a parceria com a ASML ajuda a alicerçar a próxima geração de inovação.
