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Saras Micro Devices amostra capacitor de 2mm para alimentação vertical de aceleradores…

Saras Micro Devices inicia amostragem de capacitor de 2mmx2mm embutido em PCB para aceleradores de IA que demandam até 2000A.

18 de out., 03:02 4 fontes · 2 países Infra Produto
Infra
Placa de circuito impresso de um acelerador de IA mostrando componentes de potência Foto: Jeremy Waterhouse / Pexels

Saras Micro Devices começou a amostrar um capacitor de 2 mm× 2 mm embutido em PCB ou package. O componente suporta a entrega vertical de potência necessária para aceleradores de IA que hoje consomem cerca de 2 000 A.

Como o capacitor STILE funciona

O STILE tem a mesma espessura do material core usado em substratos e PCBs. Pode ser ajustado conforme o core fica mais grosso para rigidez. Isso deixa a camada superior livre para sinais de alta velocidade enquanto a energia é fornecida por baixo.

À medida que os pacotes crescem, não há espaço na parte superior para reguladores de tensão. Eles ficam embaixo, encurtando o caminho e reduzindo perdas I²R. O regulador não acompanha rapidamente as oscilações bruscas de demanda, então os capacitores preenchem essa lacuna, evitando quedas de tensão que podem fazer a CPU ou GPU perder ciclos de clock.

Próximos passos e produção

Após o primeiro modelo de 4 mm× 4 mm, a Saras começou a amostrar, nos últimos 90 dias, uma versão de 2 mm× 2 mm, solicitada pelos clientes para deixar espaço para vias. Essa peça está agora em testes de confiabilidade.

Array de capacitores embedados em substrato de PCB
Foto: Nothing Ahead / Pexels

A empresa ainda não tem receita, mas afirma ter linha de visão para vitórias de design. A fabricação ocorre em Chandler, Arizona, e o P&D fica em Atlanta. Para fornecimento em altavolume com múltiplas fontes, a estratégia é firmar parceria com um fabricante estabelecido, em vez de licenciar a tecnologia inicialmente.

Os decisores são os projetistas de aceleradores de IA, que definem o componente; as empresas de PCB e de package então o incorporam nos produtos finais.

Apurado em 4 fontes

Semiconductor Digest (Estados Unidos)

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