Segundo a Yonhap News English, a Samsung Electronics revelou nesta terça-feira (12) suas três estratégias de memória e storage voltadas à infraestrutura de inteligência artificial. As diretrizes incluem memória de alto desempenho, expansão baseada em CXL e soluções de storage com SSDs de próxima geração.
Estratégias de memória e storage
Segundo a Yonhap News English, Shim Ho-jun, vice-presidente corporativo e chefe da equipe de engenharia de aplicações da Samsung, apresentou as estratégias no OCP Global Summit 2026, em São Francisco, explicando que o crescimento dos modelos de IA e do cache KV aumenta a demanda por capacidade de memória e armazenamento, além de largura de banda.
A Yonhap News English acrescentou que a Samsung está expandindo esforços de co-design e validação técnica com clientes e parceiros globais desde as fases iniciais de desenvolvimento para otimizar sistemas de IA completos.
Colaboração com AMD e exibição de tecnologia Nvidia
A Inews24 informou que a Samsung planeja demonstrar, junto à AMD, uma solução de expansão de memória baseada em CXL que aborda limitações de capacidade em sistemas existentes.
Segundo a Inews24, testes mostraram que a alocação dinâmica de memória reduziu o tempo até a primeira resposta em até 38% e aumentou o throughput eficaz em até 3,3 vezes.
A Inews24 relatou que a Samsung exibiu protótipos de HBM5, HBM personalizado, zHBM e tecnologia PIM (Processing-In-Memory) para reduzir movimento de dados e consumo de energia.
A Inews24 também disse que a empresa pretende usar SSDs empresariais de próxima geração para armazenamento de grandes volumes de dados de IA.
Segundo a Inews24, a Samsung e a AMD estão validando tecnologia de pooling de memória via CXL, permitindo que servidores compartilhem recursos de memória para melhorar utilização.
A Inews24 informou que a CEO da AMD, Lisa Su, visitou a sede da Samsung em Seul no dia 7 de outubro e se reuniram por mais de três horas para discutir ampliação de cooperação em semicondutores.
A Inews24 acrescentou que, em março, as empresas assinaram um memorando de entendimento para colaborar em memória de IA e tecnologias de computação de próxima geração.
Segundo a Inews24, foi exibido wafer do chip Groq3 da Nvidia (LPU) produzido pela Samsung em processo de 4 nm, juntamente com wafer de processo de 2 nm da Samsung, e o rack Groq3 LPX com 256 chips.
A Inews24 concluiu que a Samsung também mostrou sua tecnologia avançada de fundição, reforçando sua posição no negócio de semicondutores para IA.
