Nvidia está co-desenvolvendo com Samsung e TSMC um chip HBM custom de 3nm que aumenta a banda em até 30% e corta consumo em 15% frente ao HBM4E padrão.
Detalhes da colaboração
Segundo o Seoul Economic Daily, Nvidia está trabalhando com Samsung e TSMC para projetar o die base do NVHBM, que incorpora o controlador de memória antes localizado na GPU e reduz a área da camada física em 60% em relação ao HBM padrão. De acordo com o Asharq Al-Awsat, a Samsung usará o processo de 3 nanômetros da TSMC para fabricar esses dies base, mas pretende manter sua produção interna para HBM padrão e produtos customizados para outros clientes, além de avaliar se sua própria fundição poderia assumir a produção caso a demanda supere a capacidade da TSMC.
Impacto na largura de banda e consumo
O Seoul Economic Daily informa que o novo die base amplia a largura de banda em até 30% e reduz o consumo de energia em 15% frente ao sétimo‑geração HBM4E padrão, conforme dados da indústria citados pela mesma fonte. O Asharq Al-Awsat acrescenta que o NVHBM foi anunciado em agosto e tem como objetivo padronizar a implementação entre vários fornecedores de memória.
Contexto de demanda e oferta
O Seoul Economic Daily cita previsões do UBS de que a demanda de HBM no próximo ano chegará a cerca de 61,5 bilhões de gigabits, alta de 91% frente ao ano atual, enquanto os novos envios deverão alcançar apenas 54,6 bilhões de gigabits, gerando um possível déficit de cerca de 10%.
