Segundo o The Economic Times, a Nvidia pediu que a Samsung, a SK Hynix e a Micron utilizem o processo 3nm da TSMC para produzir os dies base dos próximos chips de memória NVHBM, marcando a primeira colaboração entre a Samsung e a TSMC nessa etapa de fabricação.
Detalhes técnicos do NVHBM
Conforme relatado pelo Born's Tech and Windows World, o NVHBM transfere o controlador de memória da GPU para o die base, reduzindo a área do Physical Layer em aproximadamente 60 % em relação ao HBM padrão.
O mesmo fonte afirma que essa arquitetura permite aumentar a largura de banda em até 30 % e reduzir o consumo de energia em cerca de 15 % comparado ao HBM4E.
O The Economic Times acrescenta que a Nvidia revelou o NVHBM em agosto e pediu que todos os três principais fornecedores de memória adotem exatamente o mesmo processo (3nm da TSMC para o die base e 1c da sexta geração de DRAM para o die core) a fim de minimizar diferenças de desempenho entre os chips e diminuir o esforço de validação antes da produção em série.
Estratégia da Samsung e perspectiva de mercado
O Born's Tech and Windows World informa que a Samsung continuará a usar suas próprias linhas para HBM padrão e para produtos personalizados de outros clientes, mantendo o modelo integrado de fabricação, enquanto utiliza a TSMC apenas para o die base do NVHBM da Nvidia.
O mesmo relatório indica que a Samsung está avaliando a possibilidade de construir uma capacidade própria de 2nm para o die base do NVHBM caso a demanda ultrapasse a oferta da TSMC, citando um rendimento superior a 90 % no processo 3nm da TSMC e cerca de 60 % no seu próprio processo SF2.
Segundo o Born's Tech and Windows World, projeções do UBS apontam que a demanda global de memória HBM deverá chegar a 61,5 bilhões de gigabit no próximo ano, um aumento de 91 % sobre o ano atual, enquanto a oferta prevista é de 54,6 bilhões de gigabit, crescimento de 49 %, resultando em um déficit estimado de 11 %.
O The Economic Times observa que a Samsung já tem o HBM4 em produção em massa desde o início do ano e que o HBM4E está em fase de validação, além de produzir os dies core de 1c DRAM em suas instalações de Hwaseong e Pyeongtaek.
