A Bloomberg Businessweek informou que a TSMC, ASML, Samsung e Intel anunciaram um esforço conjunto da indústria para adotar máscaras fotométricas de 12 polegadas na litografia high-NA EUV. O objetivo é elevar a produtividade dos scanners em cerca de 40% e reduzir os custos de fabricação de chips de IA.
Detalhes da iniciativa de máscaras ampliadas
O Bits&Chips conta que a TSMC e a ASML lideram a iniciativa para desenvolver máscaras de 6x12 polegadas, dobrando o tamanho atual de 6x6 polegadas usado na litografia high-NA EUV. A alteração deve acabar com as limitações de costura (stitching) entre os campos de exposição, permitindo que os scanners processem mais wafers por hora.
Motivação e benefícios esperados
Ambas as fontes explicam que o aumento do tamanho das máscaras vai atender à demanda por chips menores, mais rápidos e com maior eficiência energética, especialmente os usados em inteligência artificial. A maior produtividade dos equipamentos deve baixar o custo por chip e acelerar a inovação na fabricação de semicondutores.
Cronograma e marcos previstos
O Bits&Chips diz que os parceiros planejam abrir uma linha piloto até 2031 e ter os primeiros sistemas de alta-NA prontos para produção até 2033. O anúncio ocorreu na conferência SPIE BACUS, em Monterey, Califórnia, e o CEO da ASML, Christophe Fouquet, disse que a adoção será progressiva de acordo com o roteiro de escala de dispositivos.
O que ainda não foi divulgado
- Valor total dos investimentos previstos para o desenvolvimento das máscaras de 12 polegadas.
- Lista completa de todas as empresas que participarão da iniciativa além de TSMC, ASML, Samsung e Intel.
- Detalhes técnicos específicos sobre as novas máscaras, como materiais utilizados e resolução máxima alcançável.
